半導体用語集
クラスタ型エピ装置
英語表記：cluster type reactor system
エピタキシャル成長装置の一種で、ウェハをクラスタ状に多数枚載置することが特徴である。クラスタ型装置は大量バッチ処理によるコスト低減を目的として開発された。大量バッチ処理装置としては、他に拡散炉型の減圧ホットウォールなどが研究・開発レベルで検討されているが、ウォールデポ、裏面へのSiの堆積など生産性・品質面での課題が解決されず実用化には至っていない。クラスタ型は実用化された唯一の大量バッチ処理炉であり、口径200mm⌀以下なら一度に50枚の処理が可能である。
本装置の構造は図1に示したようにウェハを保持するサセプタが垂直・放射状に配置され、このサセプタの上下に加熱用のヒータが配置されている。加熱はこのヒータによる抵抗加熱および石英ベルジャ外部の赤外線ランプからの輻射で実施する。ウェハの大量処理は可能であるが、膜厚均一化に大量の水素ガスが必要、電力消費量が大きいなどチャージ枚数の割にランニングコストが高く、また、反応炉が複雑で構成部品が多いため装置の維持管理の負担が大きいなど、コスト低減は必ずしも十分実現されてはいないようである。
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