半導体用語集
グラホエピタキシー
英語表記：graphoepitaxy
このエピタキシーでは、成長結晶は基板の原子配列を受け継いで成長する通常のエピタキシーと異なり、表面のステップとか凹凸構造などのマクロな表面構造を反映して成長する。この場合に基板は、必ずしも結晶である必要はない。たとえば、非晶質であるが人工的に規則的な凹凸をつけた基板を用いて結晶を成長させると、一定の決まった方位を持った結晶が成長する。これは結晶成長過程が界面エネルギー（自由エネルギー）が基板の凹凸構造をも含めて最小になるように進むからである。基板表面にステップがある場合、結晶成長核の生成速度はステップ上の方が平坦な平面上より大きく、成長がステップ部分で優先的に進むことから、成長粒子がステップ側面に接触することによりステップと同方位に並ぶと考えられている。
グラホエピタキシーのよく知られた例として、アルカリハライド基板上の単原子ステップ上のIn粒子やSn粒子成長や、人工的に作製した非晶質 SiO₂上の微細パターン上のSi、Auなどがあるが、他の結晶成長の中でもグラホエピタキシーに似た成長過程が潜んでいることが多い。
関連製品
「グラホエピタキシー」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「グラホエピタキシー」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
