半導体用語集
サブスレッショルド領域
英語表記：sub-threshold region
FETにおいてゲート電圧がしきい値電圧以下の領域。本来ならチャネルはピンチオフしていてドレイン電流は流れないはずであるが、ゲート電圧がしきい値近傍では、主にキャリアの拡散による電流が流れる。この電流を抑えるためには、しきい値からさらに低いゲート電圧を印加する必要がある。サブスレッショルド領域において、ドレイン電流 (Id) を1/10に減少させるのに必要なゲート電圧 (Vgs) の振り幅のことを、サブスレッショルドスイング (S) という。すなわち、S=In₁₀•dVgs/d(InId) 。サブスレッショルドスイングが、小さなFETはゲートのon・offの切り換えに必要とされる電圧差を抑えられるので、低電圧、低電力のデジタル回路に有利となる。
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