半導体用語集
シリコントレンチ
英語表記：silicon trench
デバイスの微細化や高集積化が進み、素子分離用としてシリコン基板を直接エッチングして絶縁膜を埋め込むトレイチ分離や、シリコン基板に形成したトレンチ溝にキャパシタを形成するトレンチキャパシタ構造が検討されており、これらのエッチングプロセスを総称してシリコントレンチ工程という。MOSトランジスタにおける素子分離は従来シリコン酸化膜の選択成長によるロコス構造が主体であったが, 微細化が進む中でトレンチ分離が使われるようになってきた。MOSトランジスタにおける素子分離は浅いので, これをシャロートレンチという。 一方、シリコントレンチによりキャパシタを三次元的に形成する場合には容量を稼ぐため深いトレンチ溝が必要となる。これをディープトレンチという。
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