半導体用語集
ジルコニアスラリー
英語表記：zirconium slurry
酸化ジルコニウム（ZｒO2）の微粒子を砥粒とする、ポリシングスラリーのこと。半導体デバイスのプラナリゼーションCMPでは、低誘電率材料膜の研磨やP-TEOS膜の研磨に用いられる。以前は、シリコンウェーハの一次研磨剤として用いられたこともある。純粋なジルコニアは1,100℃付近で相変態があり、昇温時に単斜晶系から正方晶系に転移する。そのときの体積膨張による破壊を防ぐため、工業的には、CaO、MgOを固溶した安定化ジルコニア（立法晶系）や、Y2O3を固溶した部分安定化ジルコニア（正方晶系）のがセラミックスが用いられている。微粒子の場合は、相変態が起きにくくなるため、単斜晶の砥粒からなるスラリーを作成することが可能である。
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