半導体用語集
ジーメンス法
英語表記：siemens method
初めに、原料の出発材料であるケイ石から酸素を分離するために、木くずや石炭、コークスなどとともに、アーク炉で通電加熱することで、炭素の還元反応を起こし、液体のシリコンを得て、これを冷却して金属シリコンをえる。次に、金属シリコンを粉末にして、流動層内で塩化水素と反応させて、トリクロルシランを生成し、さらにこのトリクロルシランを蒸留して精製し、炭素を除いては1ppba以下の高純度にする。そして、CVD炉にシリコンで作った細い芯線をセットし、約1,050～
1,150℃の温度に加熱し、高純度化したトリクロルシランと高純度水素を流すことによって、熱分解したシリコンが芯線の方面に成長し、棒状の高純度多結晶シリコンをえる。
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