半導体用語集
スパッタ率（スパッタリング率）
英語表記：sputter rate
1個のイオンの入射よりスパッタされる原子の数をスパッタ率（単位は通常atoms/ion）という。スパッタ率は，イオンのエネルギーEᵢにより変化する。Eᵢを低くしていくとスパッタ率は急速に低下し，ついには認められなくなる。この値をスパッタのしきい値エネルギーという。金属で大体10～30eVである。スパッタ率は，Eᵢを増大と150eVくらいまではEᵢ²に，150～400eVくらいまでEᵢに，400～5,000eVくらいまで√Eᵢに比例し，以後飽和して，Eᵢが数10keVになると，ついには低下し始め固体の中に侵入してしまうイオンの方が多くなる（イオン注入）。スパッタ率はイオンの種類と固体の種類によっても大きく異なる。銀，銅，タンタルを45keVのいろいろなイオンでたたいた時のスパッタ率の測定結果などから，不活性ガスイオンのところでピークを示すことが知られているため，スパッタにおいては不活性ガスが用いられ，経済性観点から通常アルゴンイオンを用いる。
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