半導体用語集
テルル化カドミウム
英語表記：CdTe
結晶構造：閃亜鉛鉱構造。格子定数：0.64818nm。バンド構造：直接遷移型。エネルギーギャップ：1.606eV（2K），1.49（1.52）eV（RT）。スピン軌道分裂エネルギー：0.91eV。有効質量：伝導帯mc*/m₀=0.096，重正孔帯mhh*/m₀=0.62（0.72），軽正孔帯mlh*/m₀=0.092（0.12）。ルッティンジャパラメータ：γ₁=5.29，γ₂=1.89，γ₃=2.46。比誘電率：ε(0)=10.2，ε∞=7.1（7.21）。励起子束縛エネルギー：8.6（11.7）meV。フォノンエネルギー：LO=21.3meV，TO=17.4meV。変形ポテンシャル：a=-4.52eV（ac=-3.96eV，av=0.55eV，b=-1.10eV。弾性定数（×10¹¹dyne/cm²）：c₁₁=5.351，c₁₂=3.681，c₄₄=1.994。熱伝導率：0.075W/cm･K。熱膨張係数：4.5×10⁻⁶/K（RT）。融点：1,092℃。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体の中で唯一p，nともに伝導度制御が容易な半導体である。重い元素からなる半導体であるCdTeは，医療用X線，γ線検出器として実用化されている。またCdTeはHgCdTe赤外光検出器作製用の基板としても使われている。こうした光検出器のCdTe基板上への二次元アレー集積化も進められている。さらにこの赤外線検出器アレーをシリコンCMOS集積回路に混成集積し，高度の画像処理を目指す研究も進められている。一方，CdMnTeはMn²⁺イオンの3d電子により磁性を示す半磁性半導体として知られ，閃亜鉛鉱構造のへテロ構造も作製可能である。
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