半導体用語集
デカボラン注入
英語表記：decaborane implantation
B10H14という大型の分子を用いた イオン注入。この技術は原子・分子を塊にしてイオン注入する「クラスタイオン注入」とBF2など、分子イオン注入の中間に当たる技術であろう。1桁低いエネルギーと1桁高いドーズ量が等価的にえられるこの技術は、 すでに開発され2000年までに販売される「低エネルギーイオン注入機」、数keVあたりのエネルギー帯のイオン注入機の延命に非常に効果があり、 産業上重要である。また、この技術を「プラズマドーピング」へ発展させるとさらに大幅な低エネルギー、高スループット効果が期待できる。この方法もすでに0.04μmMOSデバイスへ適用されてその有用性が確認されている。
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