半導体用語集
デュアルゲート FET
英語表記：dual-gate Field Effect Transistor
ソース・ドレイン電極間に二つのゲート電極を持つ電界効果型トランジスタ。周波数変換器のミキサとして用いられる。非線形素子に2種類の異なる周波数の信号を加えると、おのおのの周波数の整数倍の和と差の周波数成分が発生する。この現象を利用して、たとえば、11GHzの衛星放送電波信号と10GHzの発振器信号を二つのゲートの入力信号として加え、発生するニ次高調波成分（この場合1GHzの信号）に変換できる。このような低い周波数では、低雑音で増幅度の大きな増幅器が安価に作れることから、こうした周波数変換器（ダウンコンバータと呼ばれる）は受信機に使用される。デュアルゲートFETは、二つのゲート間に20dB以上のアイソレーションがえられるので、大きな寸法を要するバンドパスフィルタが不要になる利点があり、回路の小型化が可能で、このFETを含んだMMICが実用化されている。
関連製品
「デュアルゲート FET」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「デュアルゲート FET」に関連する用語が存在しません。
「デュアルゲート FET」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
