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半導体用語集

トランジスタの発明とその進歩

英語表記：invention and development of transistor

　半導体産業の幕開けは、1947年の、米国ベル研のショックレー、バーディン、ブラッデンらによるトランジスタの発明にさかのぼる。このトランジスタは、点接触型であったが、その後、1949年には、ショックレーにより接合型トランジスタが発明、実用化が可能になり、1951年にはベル研により試作が行われた。1952年には、米国 RCA社、レイセオン社で合金型トランジスタの生産が始まった。さらに、1955年には、日本の東京通信工業（現ソニー）の井深大によって、民生用の初めての本格的応用ともいえるトランジスタラジオが発明された。1956年には、シリコントランジスタが開発され、1957年には、SCR、FETなどデバイス構造面での進展があった。そして、応用面では、1960年にトランジスタテレビの誕生があり、エレクトロニクス全般への応用が一気に加速された。ただ、半導体の前史として、忘れてならないのが、1904年のフレミングによる二極真空管の発明、1906年のド・フォレストによる三極真空管の発明である。この真空管の発明により、ラジオや、通信など無線を中心に、応用分野が広がり、エレクトロニクス産業は大いに発展した。このトランジスタの発明まで約半世紀の間、真空管が主流の時代が続いたことになる。一方、無線通信の高周波検波器や電力用整流器の開発に関連して、半導体の物性の研究が進んだ。応用面では、真空管がトランジスタ革命の下地を創り、開発面では、こうした半導体の物性研究がブレークスルーの大きな下地になったことを忘れてはならない。この1947年のトランジスタ発明以来すでに、半世紀が過ぎたが、半導体は、エレクトロニクス産業の中核をなし、その産業はチップで15兆円、応用製品も含めれば、100兆円の産業にまで発展している。

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