半導体用語集
トリクロルシラン：SiHCl3
英語表記：tri-clorosilane
トリクロルシランは、半導体級の棒状高純度多結晶シリコン製造に使用する代表的な原料ガスである。トリクロルシランの製造方法は、粉末にした金属シリコンを流動層内で塩化水素と反応させ、トリクロルシランをえる。
Si ＋3HCl →SiHCl3 +H₂
なお、この際に、下記の反応が一部起こり、四塩化シリコンが副生成物として発生し、副生成物の発生率は、反応温度が高いほど高くなる。
Si ＋4HCl →SiCl4 + 2H₂
前述の反応でえられたトリクロルシラン中には、金属塩化物、リンやホウ素の化合物、有機塩素化シランなどの不純物が含まれている。これらの不純物を除去するために、数段階に及ぶ蒸留を繰り返した後、炭素を除いては、1ppba以下の高純度になり、これが棒状高純度多結晶シリコン製造用原料ガスとして使用される。
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