半導体用語集
トレンチ内ドーピング
英語表記：doping in trench
イオン注入を用いて不純物をトレンチ構造にドープする場合、入射イオンとトレンチ側壁とのなす角が浅いため、入射イオンの側壁からの再放出を考慮しなければならない。注入イオンが再放出されないで側壁内に留まっているイオン注入効率は、注入イオンのトレンチ側壁への入射角に依存する。したがって入射角が小さい場合には、トレンチ側壁へ注入された不純物イオンの再放出と、反対側の側壁への再注入が繰り返し起こるために、トレンチ底部の不純物濃度が局所的に高くなる。一方、入射角が大きい場合には、側壁部のみにイオンが注入され、底部にドーピングされにくくなる。
最適入射角として、
がよいとされている。ただし、Wtrench:トレンチ開口部直径、Dtrench:トレンチの深さ、 Tmask：マスク厚さ、φ:トレンチ側壁のテーパ角)、である(図1参照)。
トレンチ構造の不純物ドープにイオン注入を用いる場合、イオン注入装置において斜め回転注入が可能であること、 またトレンチの形状・深さなどを再現性よく高精度で制御することが必要となる。
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