半導体用語集
バルク欠陥
英語表記：bulk defect
シリコンウェーハの欠陥を表すとき、ウェーハの表面より数10μm以上の深さの部分に発生する欠陥。それに対して、ウェーハの表面から10μm以内の表面層に発生する欠陥は結晶自身だけでなく、加工工程に起因する欠陥を除いた結晶のみに起因する欠陥をあらわすため、特にバルク欠陥と称する。
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