半導体用語集
ピンチオフ特性
英語表記：pinch off characteristics
FETにおいてチャネルが空乏化した状態をピンチオフといい、ゲートにしきい値電圧以下の電圧を印加することによってえられる。ピンチオフを特徴づける主な要素は、サブスレッショルド特性と耐圧である。
サブスレッショルド特性は、ゲート電圧がしきい値以下の値におけるドレイン電流の変化を示す特性で、ドレイン電流（Id）を1/10に減少させるのに必要なゲート電圧（Vgs）の振り幅のことを、サブスレッショルドスイング（S）という。すなわち、 S=ln10·dVgs/d(lnId) 。サブスレッショルドスイングが小さなFETはゲートのオン・オフの切り換えに必要とされる電圧差を抑えられるので、低電圧、低電カのデジタル回路に有利となる。
FETをピンチオフの状態で、ドレイン電圧を上昇させていくと、ちょうどゲート・ドレインの二端子で構成されるダイオードに逆方向電圧を印加しているとみなすことができる。このダイオードの耐圧を超えた時、ドレイン電流は急激に増加を始めるので、正常なピンチオフができなくなる。
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