半導体用語集
プロセス余裕度
英語表記：process margm, process latitude
転写パターンの寸法を許容値以内 (通常設計寸法の7～10%以下)に収めるプロセス要因の変動に対する許容値。単に余裕度または裕度ということもある。通常は許容される変動量をパーセントで表わす。この値が大きいほど、プロセス要因の変動に封して感受性が小さい、すなわち転写パターンの寸法制御性がよいことを意味する。プロセス要因とは、リソグラフィによりパターンを転写する場合、転写パターンの寸法を設計値からすれさせる多くの要因のことである。たとえば、露光量の変動、近接ギャップの変動、レジストプロセス条件(膜厚、べーク温度、現像温度、これらのウェハ面内均一性)の変動などである。 たとえば、X線リソグラフィにおいて転写パターンの寸法を制御するために最も重要となるプロセス要因は露光量の変動である。露光量変動に対する余裕度はパターン寸法に依存しており、解像性能の限界に近いところでは値が小さくなる。余裕度が小さくなりすぎるとパターン転写の歩留りが低下し、LSI製造用のツールとしては使用できなくなる。 余裕度として10%を確保することが一応の目安である。現状のX線リソグラフィでは70nmパターンに対する余裕度が10%程度である。
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