半導体用語集
ポリシリコン（多結晶シリコン）
英語表記：
多結晶シリコンは金属反応炉内に設置された8mmφ程度の細いシリコン芯（シード）を通電加熱（約1000℃以上）しておき、これに高純度の三塩化シラン（SiHCl3）と水素を混合したガスを流すと、シリコン芯の表面にシリコンが析出し、太い棒状に生成された高品位多結晶シリコンが得られ、シリコン単結晶製造の原料となる。多結晶シリコンは、MOSトランジスタのゲート電極の材料として広く用いられている。
関連製品
「ポリシリコン（多結晶シリコン）」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「ポリシリコン（多結晶シリコン）」に関連する用語が存在しません。
「ポリシリコン（多結晶シリコン）」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
