半導体用語集
マスクリニアリティ
英語表記：mask linearity
マスクパターンの設計寸法と実際にマスク上に形成されたパターン寸法との間になりたつ線形関係をマスクリニアリティという。設計寸法と実マスクパターン寸法との誤差の設計寸法依存性を示すものといえる。この誤差はリニアリティ誤差と呼ばれる。一般に、設計寸法が微細になるにつれ、マスク上に形成されるパターンの設計寸法からの誤差は大きくなる。このリニアリティが失われる理由は、いくつかのマスク製造工程に起因している。ーつは描画装置の解像力である。レーザビーム描画装置のように解像力に乏しい場合は、たとえばマスク上0.8μm以下のサイズでは設計寸法が小さくなるにつれ設計寸法とマスクパターンとの誤差が大きくなるが、解像力の優れる高加速電子ビーム描画装置の場合は0.2μmまで良好なリニアリティを確保できる。二つめは、レジストの特性である。同じ描画装置を用いた場合でも使用したレジストの解像力(コントラスト)によりリニアリテイも変わってくる。三つめは工ッチングである。パターンの疎密によりエッチング特性が変わる、いわゆるマイクロローディング効果によりリニアリティが悪化する。近年、光近接効果補正パターンと呼ばれるマスク上0.2μm程度の微細パターンを形成する要求が高まり、このリニアリティをどう向上させるかが重要な技術課題となってきている。
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