半導体用語集
マスク材エッチング
英語表記：mask material etching
石英基板上に成膜された遮光膜をエッチングすることをマスク材エッチングという。
遮光膜として最も多く使われているクロム膜のエッチングには、ウェットエッチングとドライエッチングの二方法がある。ウェットエッチングの利点としては、エッチング装置がドライエッチングと比較すると安価であること、また、等方性のエッチングが等方的に進むためレジストパターン段階での微小な黒欠陥は転写されないなどがあげられる。欠点は、エッチング変換差が大きいために微細パターンのエッチングには不向きなことである。エッチング液としては、硝酸第二セリウムアンモニウムが用いられ、その供給はスプレー方式とエッチング液の中にマスクを浸けるディップ方式の2種類がある。ドライエッチングは反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching : RIE）が主流である。RIEは異方性に優れエッチング変換差が小さく微細パターンのエッチングに適しているので、近年急速にマスク材エッチングに用いられるようになった。また位相シフトマスクに用いられるマスク材はウェットエッチングで加工できないものが多いことも、ドライエッチング装置が導入されている背景にある。エッチングガスには塩素と酸素の混合ガスを用いる。
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