半導体用語集
メタルCVD装置
英語表記：metal CVD system
主にゲートやキャパシタの電極形成、多層膜配線工程の配線処理やコンタクトやバリア膜（拡散防止膜）、ビア接合孔への埋め込みなどを行う金属膜をウェハ上にCVD法で形成するための装置。高集積化、高速化、低電力（電圧）化を達成するためには、チップレベルでは配線遅延の原因となる寄生容量と配線抵抗の低減化が必須となっている。
装置には大きく分類して、熱CVD装置とプラズマCVD装置がある。チャンバの形態としては、チャンバ壁を加熱して副生成物を付着させにくくするホットウォール式と、積極的にチャンバの加熱を行わないコールドウォール式がある。コールドウォール式は材料ガスが気層にて高温になると反応を起こしてしまう場合に適する。
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