半導体用語集
モノシラン：SiH₄
英語表記：mono-silane
半導体級の棒状高純度多結晶シリコン製造に使用する原料ガスの一つに、モノシラン（SiH₄）がある。モノシランの製造方法は、粉末にした金属シリコン、水素、四塩化シリコンを原料に高温高圧化の流動床で三塩化シリコンを生成する。
Si+2 H₂ +3 SiCl₄ →4 SiHCl₃
次に、三塩化シリコンを蒸留により分離し、特殊なイオン交換樹脂を触媒として、不均化反応により、二塩化シリコンをえる。
6 SiHCl₃ →3 SiH₂Cl₂ +3 SiCl₄
二塩化シリコンは、再度蒸留による分離後、同種のイオン交換樹脂層を通して、モノシランをえる。
3 SiH₂Cl₂ →SiH₄ +2 SiHCl₃
ここでえられたモノシランは、蒸留によって精製され、棒状高純度多結晶シリコン製造用原料ガスとして使用される。モノシランを使用した多結晶多結晶シリコン製造プロセスは、副産物を出さないクローズドループのプロセスであることが特徴である。
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