半導体用語集
レジスト・下地選択性
英語表記：selec tiV1 ty over resist and underlying materials
エッチング中にマスクであるレジストや加工したい材料の下地材料と被エッチング材料のエッチング速度の比をエッチング選択比という。高精度なエッチングを実現するためには、この選択比を大きくしなければならず、選択性の向上がエッチングプロセスにとってきわめて重要である。レジストとの選択性はレジストの後退による寸法シフトを引き起こすため高い選択性が必要である。また、徴細化が進むにつれて解像度を上げるためにレジストの膜厚を薄くする必要があり、より高い選択性が必要である。また、下地材料はゲート酸化膜、ゲート電極、配線層やシリコン基板の拡散層などであり、被エッチング材料終了後にエッチングが進行するとトランジスタを壊したり、 配線が断線したりするため、高い選択性が必要となる。
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