半導体用語集
レジスト選択性
英語表記：selectivity over resist
アルミエッチングにおいては方向性形状を実現するために側壁保護膜が必要であり、レジストのスパッタリングがある程度必要である。また、エッチング残さを除去するためにイオンエネルギーを高める必要性があることから一般的にレジストとの選択性が低いこととなる。さらに、最近配線パターンの微細化が進行してきたためレジストの膜厚も薄くせざるをえず、ますます選択性の向上が望まれている。レジストとの選択性の向上の方策として、エッチング速度を向上させるとともに保護膜形成が一般的に行われている。エッチング速度の向上には高密度プラズマが用いられ、また、表面の自然酸化膜の除去を速やかに行うためBC13を添加する。BC13は表面の自然酸化膜と遠元反応を起こし酸化膜を速やかに除去することができる。保護膜形成にはフロロカーボンガスや窒素などが用いられる。フロロカーボン膜はテフロン系の堆積膜を生じさせ、窒素はアルミの窒化物を生成する。これらの膜は イオン衝撃のない側壁に残留し保護膜として作用する。
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