半導体用語集
レーザ・アニール
英語表記：Laser Anneal
イオン注入を行った試料の活性化のためのアニールにレーザによる加熱が用いられるようになってきた。特に超微細MOSトランジスタでは超浅接合が必要となり、注入不純物を再分布させずに活性化することが必須となる。それには、ナノ秒レベルの時間で、1300℃～1400℃の温度でアニールできるレーザアニールが適している。光源としては初期はArレーザ、その後、XeCIエキシマレーザ（308nm、QS）、KrFエキシマレーザ（248nm、QS）、Ar、YLFの第二高調波（2ω:~530nm、CW or QS）等など色々な光源が検討されたが、現在はCO2レーザ（10.6μm、CW）が主流となっている。
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