半導体用語集
レーリーの式(1);解像度の式
英語表記：
ステッパーで露光した時の解像度は、次のレーリーの式で表される。
解像度＝k1・λ／NA：k1はプロセス条件、光学系で決まる定数、λは露光光の波長、NAはレンズの開口数
・K1=0.25、λ=193nm、NA1.4なら、上式に代入して、解像度=34.4nmとなる。
・k1ファクターの改善；1）位相シフトマスク 2）近接効果補正 3）変形照明 4）二重露光 5）レジスト 6）反射防
止膜 7）SMO（Source Mask Optimization）など。
・波長λの改善；Hg lamp i-線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13nm）
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