半導体用語集
レーリーの式(2);焦点深度の式
英語表記：
ステッパー焦点深度は、次のレーリーの式で表される。
焦点深度＝k2・λ／NA：k2はプロセス条件、光学系で決まる定数、λは露光光の波長、NAはレンズの開口数
焦点深度は、λが小さくなり、NAが大きくなると益々狭くなってきた。これに対してCMPによる平坦化が一般的に用いられるようになり、下地の凹凸による焦点ボケは少なくなって、焦点深度の問題がほぼ解決された。ただし、微細化のためにはCMPが絶対不可欠な工程になった。
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