半導体用語集
光露光プロセス
英語表記：photolithography process
光露光プロセスとは、半導体基板上にレジスト膜を塗布して、マスクを通して露光した後、レジスト膜を現像液に浸けて現像することにより、所望の集積回路のレジストパターンをえる工程のことである。レジストとしては、 露光されたレジスト膜が現像液に対して可溶化するポジ型レジストと露光された部分が不溶化するネガ型レジストがある。現在、KrFエキシマレーザまたはArFエキシマレーザを用いた光リソグラフィでは、化学増幅型レジストが主流となっている。光露光プロセスにおいて、所望の集積回路パターンをいかに忠実に半導体基板上に転写するかが最も重要な課題となる。たとアえば、半導体基板上に塗布されたレジストの膜厚がばらつくと定在波効果によりレジストパターンの寸法がはらつく。最近では、下地基板からの反射を防止し、かつ定在波効果を防止するために、半導体基板上に反射防止膜を塗布した後にレジスト膜を塗布する方法を用いることが多い。また、光近接効果の影響により忠実に所望の集積回路パターンを転写することが困難であるので、近接効果補正をする必要がある。光近接効果によりラインパターンの寸法がばらつくが、マスク上でマスクの寸法にバイアスをかけることにより転写されるレジストバターンの寸法を補正することができる。 また、光近接効果によりラインの先端部の形状は丸くなり設計通りに転写されないことがあるが、マスク上でラインの先端部に微小図形を付加する方法により光近接効果を補正することができる。
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