半導体用語集
半導体級多結晶シリコン：EGｰSi
英語表記：Electronic Grade-Silicon
EG-Si（Electronic Grade-Silicon）は、高純度トリクロルシランや、高純度モノシランと水素の熱分解反応によって製造される。その代表的な品質指標として、抵抗率では、ｐ型で3,000Ω･cm以上、n型で300Ω･cm以上、表面不純物濃度では、特にFe、Cr、Niなどの重金属で1ppbw以下のものが使用されている。形状については、CZ用では、棒状多結晶を使いやすい大きさに破砕したナゲット状のものが主に使用されている。破砕に際しては、特殊なハンマーを用いるが、その際に汚染するため、表面を軽くエッチング洗浄し、クリーンルームで清浄な袋に入れて包装し出荷される。なお、リチャージ用や連続チャージ用には、棒状のままを使用する。この際には、多結晶を懸垂保持するために、溝加工を行うなど、様々な細工が施されるが、その際の汚染や歪の導入など、十分に注意する必要がある。特に加工歪は、溶融中の破壊など、事故に繋がる危険性がある。また、曲がりや、真円度などの形状の要求が厳しく、成形したものを使用している。
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