半導体用語集
多ビットメモリ
英語表記：Multiple Level Cell
NAND型フラッシュメモリでは絶縁膜に挟まれた浮遊ゲート、あるいは、ゲート絶縁膜の中のトラップに電子を蓄積させて、Vthを変化させることにより1、0を記憶させる。これは1トランジスタ当り1ビットの記憶であるためSingle Level Cell:SLCと呼ぶ。これに対し、Vthを3値以上に設定することにより、1ビットより多いデータを記憶する多値化を図ることができる。このようなメモリを多ビットメモリ：Multiple Level Cellと呼ぶ。このように多値化することにより、多数のトランジスタを必要とせずに記憶の高集積化を図ることができる。一方、メモリ作製時にはVth設定の精度とその分布の均一性を高くしなければならない。また、MLCでは1セル当りの書き換え回数が増えるため、メモリの寿命が短くなるという欠点もある。
関連製品
「多ビットメモリ」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「多ビットメモリ」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
