半導体用語集
歪効果による移動度向上
英語表記：
微細化によってMOSトランジスタの高性能化を図ってきたが、短チャネル効果抑制のためのチャネル不純物高濃度化による移動度の低下、電源電圧スケーリングに対応したVthの低減が図れない等が有り高性能化できなくなってきた。さらに性能を高めるためにチャネルにストレスを加え、電子、ホールの移動度を高める工夫がなされている。p-MOSでは圧縮ストレス、ｎ-MOSでは伸長ストレスを印加することにより、夫々、ホール、電子の移動度が高くなる。そのため、p-MOSソース・ドレインにSiGeを成長させ、ｎ-MOSソース・ドレインに炭素を混ぜる。また、夫々、圧縮性、伸長性のSi3N4のコンタクト・エッチ・ストッパーでチャネルにストレスを加える等の方法が取られている。
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