半導体用語集
点欠陥の凍結
英語表記：quenching of point defect
融液からの結晶成長時には高密度の点欠陥が固液界面から取り込まれ、一部は表面に拡散したり対消滅して消滅するが、残りの空孔または格子間シリコンが結晶内に過飽和あるいは不飽和な状態で取り込まれることを凍結されるという。CZ-Si結晶を高速で育成するとR-SFが結晶外部に追い出される。内部の領域には固液界面で優勢だった空孔が凍結されて空孔クラスタとなる。また成長中の切り離し急冷実験により、格子間シリコンと再結合しなかった空孔が凍結される。FZ-SiのD欠陥やCZ-SiのAOPは高温からの急冷により、過剰な空孔が閉じ込められて形成された二次欠陥である。
逆にCZ-Si結晶の低速引き上げではR-SFが結晶内部に消滅し、また最高温部での保持時間が長いために、固液界面で優勢だった空孔は坂道拡散により消滅が促進されて格子間シリコンが優勢となる。これらの残りの格子間シリコンは凍結されて安全な集合体である転位クラスタや転位グループとなる。FZ-Si結晶の低速成長では凍結された格子間シリコンからA欠陥、B欠陥が形成される。
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