半導体用語集
点欠陥の拡散係数
英語表記：fiffusion coefficient of point defect
シリコン結晶の点欠陥である空孔（Ⅴ）と侵入型の格子間シリコン（I）の拡散係数は、Au、PtおよびZnの拡散処理後の置換サイトに占める濃度プロファイル測定やトレーサ方で求められている。拡散係数についての実験値は使用したシリコン単結晶の完全性の差にも起因して大きくばらついていて、特に格子間シリコンでは数桁に及ぶ。一例をあげるとMoreheadはⅤ、Iの拡散係数を、
と報告している。点欠陥はこれらの式に従い濃度勾配に比例した流速で拡散し、高温ほど拡散速度が速くなる。拡散係数の温度依存性は、格子間シリコンでは低温ほど空孔より大きい。両者ともドーパント不純物より大きく、Cu、Ni、Feなどの遷移金属不純物より小さい。また酸素よりも点欠陥の拡散係数は大きい。
DｖとＤIの正確な値については、種々の報告によると、1桁程度の不一致を示しているのが現状で、拡散機構を含めて最終的な決着はついていない。
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