半導体用語集
縮小転写イオン光学系
英語表記：ion optics for projection 10n beam lithography
縮小転写イオンピームリソグラフィでは、マスクを透過したヘリウムや水素などの軽イオンビームが、光学系により1/4から1/5倍にウェハ上に縮小投影され露光が行われる。このために用いられる光学系が縮小転写イオン光学系である。デュオプラズマトロンイオン源やマルチカスプイオン源から引き出されたヘリウムや水素などの軽イオンが10 kev程度に加速され、照明光学系により光軸に平行、大面積化されてマスクを照射する。マスクを透過したビームは、多数の電極により構成されるイマージョンレンズとユニホテンシャルレンズにより、100kevまで加速されウェハ上に、マスク像を縮小結像する。パターン化された縮小イオンビーム像のウェハ上での位置精度を確保するためにパターンロックシステムと呼ばれる位置合わせ機構が提案されている。これは、縮小されたイオンビーム像のチップパターンの各コーナに微小径ビームを作製しておき、この徴小ビームを検出することで、パターン化されたイオンビームの相対位置、回転の補正を行うものである。転写されるパターンの解像度は主として,イオンビームの持つエネルギー半値幅により生ずる色収差によって決まる。このため、使用するイオン源としてはできるだけエネルギー半値幅の小さなイオン源を使う必要がある。ちなみに、解像度50 nmを実現するには、1ev程度の半値幅に押える必要がある。
関連製品
「縮小転写イオン光学系」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「縮小転写イオン光学系」に関連する用語が存在しません。
「縮小転写イオン光学系」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
