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半導体用語集

超高精度EB描画

英語表記：Super high accuracy EB writi mg

X線マスクパターンの電子ビーム (EB)描画において、パターン位置およびパターン寸法を超高精度に描画すること。X線リソグラフィをLSI製造現場に導入するためには、重ね合わせ精度とパターン寸法精度の向上が要求される。これを実現するにはX線マスクのパターン位置精度および寸法精度を高めることが必須である。たとえば、最小パターン寸法が130、 100、70nmのLSIで要求されるX線マスクのパターン位置精度および寸法精度は、それぞれ14、10、8nmと10、8、5nmになる。これらの精度を有するX 線マスクを製造するためには、超高精度な電子ビーム描画装置および描画技術が必要となる。
電子ビーム描画において解像度を高めるには、電子ビームのサイズを小さくすることと、前方散乱(入射電子の広がり)と後方散乱(バックスキャッタリング:下地基板での反射、散乱により戻ってくる電子)の影響を小さくすることが重要である。そのためには、電子ビーム描画装置の高加速電圧化が最も有効であり、通常20～30kVの加速電圧を100kVに変更することが行われている。これにより描画時の散乱電子の影響が低減でき、高解像度化が図られる。さらに、前方散乱電子による近接効果(隣り合わせのパターン間でかぶり露光がでること)の影響は、パターンの粗密の度合に応じて露光量描画データを変える近接効果補正プログラムが開発されている。また、描画領域(フィールド)のつなぎめでパターン寸法が変動することを避けるために、つなぎめの場所を変更しなが ら数回に分けて描画する多重描画の手法が使用されている。描画位置精度を向上するためには、電子ヒュームの偏向精度を向上するとともにドリフトを抑える工夫がなされている。さらに、X線マスクの製造工程で発生する位置誤差をあらかじめ評価しておき、電子ビーム描画時に補正する手法も開発されている。

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