半導体用語集
連続チャージCZ装置
英語表記：continuously charged CZ equipment
連続チャージCZ装置は、供給原料によって、大きく三つの方式がある。連続チャージCZ装置は、通常のCZ装置と同様の単結晶引き上げ部分と、原料ポリシリコンを供給する原料供給部からなる。基本的には、単結晶の重量変化を計算し、これに見合った重量の原料をほぼ連続的に供給する。このことにより、偏析現象によって、ドーパント濃度が高くなったシリコン融液を新たなポリシリコンで薄める作用が働く。所望の抵抗率に精度よく制御するためには、同時に適量のドーパントを間欠的に供給する必要がある。なお、結晶収納部が十分長い引き上げ装置でない限り、適当な長さで尾部を形成して切り離し、複数本の結晶をえることになるが、そのような方法を採用する場合は、結晶収納部と結晶引き上げ部をアイソレーションするゲートを設けて、収納部のみ常圧に戻して解放して結晶を取り戻した後、再度引き上げを行う。
関連製品
「連続チャージCZ装置」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「連続チャージCZ装置」に関連する用語が存在しません。
「連続チャージCZ装置」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
