半導体用語集
選択エピ成長
英語表記：selective epitaxial growth
絶線膜上へのSi薄膜の堆積の始まりが遅れることを利用し、エピタキシャル成長をSi上にのみ選択的に成長させる技術。選択エピタキシャル成長させるためには絶縁膜上に核が発生するのを抑制する必要がある。そのため、絶縁膜上の吸着点密度を下げる、吸着物質をHCI等と反応させ、固体Siに分解し難い物質に変える方法が考えられている。
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