半導体用語集
選択成長
英語表記：selective growth
所望の場所でのみ選択的に反応を誘起し、反応生成物としての薄膜を形成する技術。自己整合的に薄膜を形成できるため、素子の微細化に適応しやすいという特徴を持っている。固－固体界面での反応の選択性を利用した技術の代表例が、サリサイド技術であり、気体－固体界面反応の選択性を利用した代表例が選択CVD技術である。前者は、熱処理によってシリコン表面上では金属のシリサイド化反応が進行するのに対し、絶縁膜上では反応が進行しないことを利用した選択成長技術である。一方後者は、CVDの原材料ガスが特定の下地とのみ反応する現象や、特定の下地上で優先的に反応が進行する現象を利用するものである。選択成長では、所望の場所以外に薄膜が成長してしまう「選択性の破れ」と呼ばれる現象の抑制が重要である。サリサイド反応での「選択性の破れ」は、横方向拡散による絶縁膜上へのシリサイド成長による場合が多い。また、チタンのような反応性に富む金属を用いてサリサイド形成を行う際に、高温の熱処理を加えると金属が局所的にシリコン酸化膜と反応してしまう場合もある。CVDでの「選択性の 破れ」の防止には、マスク材の表面の核成長サイトの密度を小さくすること、核形成を助長する反応副生成物を 効果的に排除することが必要であり、選択成長を行う表面の前処理技術が重要になっている。
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