半導体用語集
選択成長
英語表記：selective growth
ソースガス、成長温度、雰囲気を選べば、Si02が共存していてもSi上へのみSiを成長できる。Wの場合には、導電性のある膜上へのみWを成長できる。一般に全面に成長する場合より、成長温度が低いことが多い。これも、化学的な反応の差を利用して下層に選択的に上層(SiあるいはWなど)を成長するので、自己整合整合技術である。
選択成長は遠元雰囲気で行われ、望ましくない部分に異常な成長が発生することがある。これは、Si02のごく一部が遠元されてSiが露呈し、この部分に異常な成長が発生すると推測されているが、成長した後にその証拠を検出することはできないので、推測の域を出ない。
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