半導体用語集
選択研磨
英語表記：selective polishing
異種材料が共存する加工物を研磨したときに、片方の材料のみが選択的に研磨されること。CMPでは、溝を埋め込んだ研磨速度の速い材料を研磨するとき、研磨ストッパ膜として研磨速度の遅い材料を敷いて平坦化する研磨方法である。選択比は、被研磨材料とストッパ膜の組み合わせ、研磨スラリー、研磨パッドなどの研磨条件、ストッパ膜のパターン（サイズ、密度）などによって決まる。金属配線を形成するダマシン方式では、絶縁膜をストッパ膜にして、被研磨材料の金属を選択研磨する。また、深いトレンチによる素子分離では、窒化シリコン、または酸化シリコンをストッパ膜にして多結晶シリコンを、浅い溝による素子分離（STI）では、窒化シリコンをストッパ膜にして酸化シリコンを選択研磨する場合が多い。
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