半導体用語集
酸化マンガンスラリー
英語表記：manganese oxideslurry
マンガン酸化物を砥粒とした研磨剤。マンガン酸化物にはMnO2、Mn2O3、Mn3O4、MnOがある。このうち、W CMPではMnO2が、通常の層間絶縁膜（SiO2）ではMn2O3が速い研磨速度をもっている。W CMPでは、酸化作用のないシリカやアルミナを砥粒とする研磨剤では、液体の酸化剤が必要であるが、MnO2は砥粒自身に酸化作用があるため、研磨剤に液体の酸化剤を添加する必要がない。このため、プラグのシームのエッチングがおこらない特徴がある。また、薄い酸と過酸化水素水の混合液に容易に溶けるため、CMP後の洗浄に砥粒がウェーハ表面に残留しない。層間膜（SiO2）では、現在、世の中で知られている最も速い研磨速度を可能にする酸化セリウムの80％程度の研磨速度をMn2O3は提供できる。酸化マンガン研磨剤は、すべて、酸と過酸化水素水の混合液に容易に溶解するため、使用済研磨剤から、砥石成分のみを回収し再生できるので、リサイクルが容易である特徴もある。
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