半導体用語集
酸化増速、減速拡散
英語表記：oxidation-enhanced、retarded diffusion
熱酸化過程においては、酸化界面で過剰なシリコン格子間原子が発生することが知られている。拡散において主にシリコン格子間原子が関与するホウ素(B)、リン(P)では,酸化によって拡散が増速される。これを酸化増速拡散という。これに対して,主に空孔が関与するアンチモン(Sb)では、酸化によって拡教が遅くなる。これを酸化減速拡散という。酸化によって増速される拡散と抑制される拡散は1980年代初めに実験的に観測され、この現象によりシリコン格子間原子と空孔の両方が不純物拡散に寄与することが明らかとなった(拡散モデル)。
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