半導体用語集
量子ドット素子
英語表記：quantum dot device
電子や正孔を三次元的に微細な領域に閉じ込めると、x、y、zのすべての方向でエネルギーの量子化が起こり、電子や正孔の占有できるエネルギー状態がデルタ関数的になる。その構造を量子ドットと呼ぶ。ある特定の電子、あるいは正孔のみ極限的な小さな領域に閉じ込めることができる。また、閉じ込める障壁をトンネル効果が起きるような薄い障壁としておくと、キャリアや光からみると、 きわめて鋭い共鳴箱となり、電気的にも、光学的にも、特異な非線形特性をえることができる。これらの特徴を利用した素子を量子ドット素子という。量子ドットレーザの研究が最も進んでおり、1999年、1.3µmでの室温連続発振が富士通により、また青色領域での発振に東大の荒川が成功している。また富士通により、量子ドット1個からなるメモリデバイスが開発されている。
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