半導体用語集
露光余裕度
英語表記：exposure latitude
レジストパターンの寸法が指定限界内に収まるような露光量の範囲を露光余裕度という。通常、設計寸法からのパーセント変動量で表わされる。つまり一般的には、露光余裕度＝Emax-Emin/Eoの式で表わされ。ここで、Eoはレジストパターンが設計寸法どおりに形成される露光量,Emaxは設計寸法よりも10%太くなる露光量、Eminは設計寸法よりも10%細くなる露光量である。露光余裕度は、光リソグラフィにおけるプロセスマージンを評価するうえで焦点深度とともに重要なファクタである。 一般的に露光余裕度は、レジストプロセスおよび露光技術に依存しており、10%程度が必要であるとされている。また、プロセスマージンを評価するために、EDツリーという手法がよく使われている。横軸に露光量、 縦軸にフォーカス位置のグラフを作成し、設計寸法に対して土10%になる点をプロットする。プロットされた範囲が許容できる露光量とフォーカスの範囲 (プロセスウインド) を示す。 たとえば, 同一EDツリー上にラインアンドスペースパターンと孤立ラインパターンにおけるそれぞれのプロセスウインドをプロットして、それぞれのプロセスウインドの重なり度合から、ラインアンドスペースパターンと孤立ラインパターンを同時に形成する場合のプロセスウインドを評価する。プロセスウインドは、必要とされる露光余裕度を満足するフォーカス範囲として定量化することもできる。
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