半導体用語集
高周波パッケージ
英語表記：high frequency package
高周波用デバイスに用いるパッケージのこと。
デバイスとしては，Si系とGaAs系の素子があり，Si系はコストに優れ，GaAs系は高速性能に優れている。通常は2～4GHz以上になるとGaAs系を使用する。高周波パッケージの製品用途は，TV/VTRチューナ，携帯電話，PHS，衛星通信，GPSなど，近年急速に発展している通信機器システムに使用される場合が多い。
パッケージに要求される特性は，特に低ノイズと高ゲインが必要とされ，これらの特性を向上させるには，構造（配線）の低インダクタンス化，低抵抗化が重要である。そのため，誘電率の関係からセラミックパッケージのハーメチックシールが主流で，樹脂封止タイプは少ない。また，リード電極全面にはAuめっきを数µm施すことが多いが，これも高周波の表皮効果を利用した電気抵抗を下げるための方策である。またボンディングワイヤ部は，細いAuワイヤを使用するため，高周波パッケージの構造の中でも，特にインダクタンスを上げてしまう部分であり，ループ形状を極力低くかつ短くする必要がある。近年は接続技術の向上とともに，電極にAuやはんだボールをつけて，直接リードと接続するバンプ接続が指向されているが，一般的にこの構造は通常の半導体パッケージと比較して高価である。
今後，高周波パッケージを使用する製品は，さらなる高周波化（50GHz以上）の要求がある一方で，使用範囲も広がり，汎用性やコストが重視されるようになり，現在リードフレームや樹脂封止を採用した低コスト化も検討されている。
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