半導体用語集
高速DRAM（シンクロナス、ラムバスなど）
英語表記：high speed Dynamic Random Access Memory
MPUの処理性能の高速化に伴い、PCのメインメモリであるDRAMの高速化が要求されるようになってきた。特に16M DRAM以降は、FPM（ファーストページモード)、EDO（エンハンストデータアウト)、シンクロナスと、同じ16Mの中でもMPUの性能向上と世代交替に伴い、移り変わりが激しい。EDOまでは数10MHzだったものが、シンクロナスでは66MHz （PC 66）、100MHz（PC100）、さらに133MHz（PC133）と標準化されながらスピードが向上している。さらに、99年からは、800 MHz以上のランバス、 DDRなどの高速DRAMが提案され、どれがデファクトスタンダードとなるか注目されている。こうした目まぐるしい高速DRAMの品種交替と規格標準を巡る混乱は、DRAMの需給の変動により拍車をかけている。98年までは、ポストシンクロナスDRAMとしては、インテルが推すラムバスが最右翼だったが、チップセットの投入遅れや周辺技術の整備不足、コスト増などから、DDRやシンクロナス133MHzも有力となってきた。特に供給不足が懸念されたラムバスについては、インテルがマイクロンやサムソンに出資して供給を確保しようとするなどの動きもある。この他、ややカテゴリーが異なるが、高速DRAMとしては、VCRAMや富士通のFCRAMもある。
関連製品
「高速DRAM（シンクロナス、ラムバスなど）」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「高速DRAM（シンクロナス、ラムバスなど）」に関連する用語が存在しません。
「高速DRAM（シンクロナス、ラムバスなど）」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
