半導体用語集
ECRスパッタリング
英語表記：Electron Cyclotron Resonance sputtering
ECRマイクロ放電を利用したスパッタ装置である。プラズマ生成室は2.45GHzで電子サイクロトロン共鳴条件となるように外部コイルで875Gの磁界が印加されている。プラズマ生成室と試料室の間に孔があり，孔の外側にはプラズマを囲むようにリング状のターゲットが配置されている。ターゲットにはDCまたはRFのバイアスを印加し，プラズマ中のイオンを引き込んでスパッタを行う。プラズマ中のイオンやイオン化したターゲット粒子は電子との電極性拡散により発散磁場に沿って基板方向に加速される。この方法は低ガス圧（10～2Pa台）での放電が可能であり，低エネルギー領域（数～数10eV）でイオンエネルギーが制御できる。イオン化率が高い，二次電子や負イオンの基板衝撃が避けられる，などの特徴がある。
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