半導体用語集
Ir、IrO2
英語表記：iridium, iridium dioxide
イリジウム(Ir)は原子番号: 77、原子量: 192.2、格子定数: 3.8394、抵抗率: 5.3 (μΩ/cm)の貴金属。常圧では800℃程度で酸化されIr02 となる。Ir02はルチル構造(正方晶) を取り抵抗率49 (μΩ/cm)の導電性酸化物である。Irはptと非常に性質の似ている貴金属で、面心立方構造をとり成膜するとPtと同様に(111)配向しやすい。Ir02は拡散バリア性に非常に優れており,強誘電体キャパシタの電極として用いると膜疲労特性などの電気特性が大幅に改善される。
Irも酸素雰囲気で表面や結晶粒界が少し酸化されるため同様の効果がえられる。また、Ir系材料の他の特徴として酸素バリア性が非常に優れていることがあげられる。Ir系薄膜下の基板や膜は1,000℃に及ぶ酸素雰囲気でもほとんど酸化されない。このような特性は立体セル構造においてポリシリコンなどのプラグ上に強誘電体キャパシタを形成する際に有効である。
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