半導体用語集
FinFET(Tri Gate MOS)
英語表記：
Bar状シリコンの3方向にMOSのゲート電極を設けると、単純に考えれば駆動電流が3倍となる。また、ショートチャンネル効果もほとんど問題なくなるので、将来、有望なデバイスと考えられている。ゲート電極が魚のヒレのように見えるので、FinFETと呼ばれる。Tri Gate MOSとも呼ばれる。FinFETは、CMOSLSIの微細化が進み、15nm以下になって、2015年頃に生産に入ると思われていたが、早くも2012年には生産が始まりそうである。側面の酸化膜形成、パターニング、イオン注入など、プロセス上の困難も予想される。上記FinFETを更に発展させたナノアイワも有望で、2015年頃には生産に入るかも知れない。
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