半導体用語集
High-k膜（高誘電率膜）
英語表記：
絶縁物の誘電率は、εで表されることが多いが、半導体ではｋとがを用いている。High-kとは、高誘電率の意味である。MOSトランジスタの比例縮小則によると、パターンが微細化されると、縦方向の寸法もそれと同じ比率で縮小する必要があり、チャンネル長が30nm以下の場合、ゲート酸化膜の厚さは1nm程度が要求される。この厚さではSiO2は最早絶縁物ではなく、量子力学が言うところのトンネル電流が流れてしまう。そこで、SiO2（k=4）の代わりに誘電率の高い材料を用いると、誘電率の比率に応じて厚くすることができる。多くの材料が検討されたが、HfO2系（HfSiONなど、k=20）の膜や、La2O3系の膜などが良く用いられている。
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