半導体用語集
アニーリング（熱処理）
英語表記：annealing
イオン注入による結晶欠陥(損傷) の回復と注入された不純物の電気的活性化のために、イオン注入後にアニーリング(熱処理)を行う。熱処理による損傷の回復の様子は、イオン注入によって非晶質層ができているか否かによって異なる。臨界注入量以上にイオン注入され、非晶質層が形成されている場合には、基板からの固層エピタキシャル成長により、注入層の損傷は比較的低温で回復する。欠陥は多数存在するが非晶質層が形成されていない場合には、アニーリングによる結晶回復過程において二次欠陥が発生する場合があり、完全に結晶性を回復させるためには～1, 000℃の高温でのアニーリングが必要となる。
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