半導体用語集
アンチドット
英語表記：antidot
二次元電子ガス(2DEG)が存在する領域を微細加工によりドット状の領域に制限した構造をドット（あるいはボックス、零次元構造→量子ドット）と呼ぶのに対し、ドット状に電子が存在しない領域を（絶縁領域）を形成し、これを周期的に並べたものをアンチドットと呼ぶ。アンチドットは2DEGにドットアレイ状の穴を開け、穴の部分の2DEGを空乏化させたり、ドットアレイ状に金属ゲートを作成し、ゲート下の2DEGを空乏化することにより実現されている。半導体ドットをアレイ状に並べた構造では、電子はトンネル現象を介してしか伝導しないのに対し、アンチドットでは2DEGが接続されており伝導特性が容易に測定できる。アンチドットで最も顕著な伝導特性は、比較的低磁場領域で観測される、電子のサイクロトロン運動とアンチドットの古典的な幾何学的共鳴現象である。電子のサイクロトロン運動に伴う円軌道が、 ドット状絶縁領域を避けて形成されやすい条件で抵抗が最大になり、複数の絶緑領域を囲む様々な軌道に対応した抵抗ピークが観測されている。量子的には磁場中での周期構造に基づく干渉効果である Hofstadterのバタフライと呼ばれる構造が期待されているが、明確な測定結果はいまだえられていない。しかし、最近微細加工技術の進歩に伴い量子的現象も観測され始めている。また、アンチドットは人工的に位置の調節できる巨大不純物と考えることもでき、電子密度を小さくしていった時の金属-絶縁体転移への影響などにも興味が持たれている。
関連製品
「アンチドット」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「アンチドット」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
